Analysis of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers by nearfield optical microscopy
Elmentve itt :
| Szerzők: |
Friede Sebastian Tomm Jens W. Kühn Sergei Hoffmann Veit Wenzel Hans |
|---|---|
| Dokumentumtípus: | Könyv része |
| Megjelent: |
International Society for Optics and Photonics
Bellingham (WA)
2017
|
| Sorozat: | Proceedings of SPIE
Novel In-Plane Semiconductor Lasers XVI |
| Tárgyszavak: | |
| doi: | 10.1117/12.2249563 |
| mtmt: | 33298452 |
| Online Access: | http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/33981 |
Hasonló tételek
-
Near-field microscopy of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers
Szerző: Friede Sebastian, et al.
Megjelent: (2016) -
Rádiózás a GaGa tükrében
Szerző: Kendi Laura
Megjelent: (2004) -
On the photoconductivity of GaP crystals
Szerző: Gyulai József, et al.
Megjelent: (1967) -
Trichogin GA IV peptidek térszerkezeti tulajdonságai
Szerző: Turcsán Mihály
Megjelent: (2014) -
Gibberellic Acid (GA3) a Versatile Chiral Building Block for Syntheses of Pharmaceutical Agents /
Szerző: Khdar Zein Alabdeen, et al.
Megjelent: (2025)