Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
Elmentve itt :
Szerzők: |
Lohner Tivadar Németh Attila Zolnai Zsolt Kalas Benjamin Romanenko Alekszej Nguyen Quoc Khánh Szilágyi Edit Kótai Endre Agócs Emil Tóth Zsolt Budai Judit Petrik Péter Fried Miklós Bársony István Gyulai József |
---|---|
Dokumentumtípus: | Cikk |
Megjelent: |
2022
|
Sorozat: | MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
152 |
Tárgyszavak: | |
doi: | 10.1016/j.mssp.2022.107062 |
mtmt: | 33077841 |
Online Access: | http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/26205 |
Hasonló tételek
-
Ultrafast in-situ null-ellipsometry for studying pulsed laser – Silicon surface interactions
Szerző: Csontos János, et al.
Megjelent: (2017) -
Anatomy of the oral cavity
Szerző: Nógrádi Antal
Megjelent: (2022) -
Crystallization of Ge2Sb2Te5 thin films by nano- and femtosecond single laser pulse irradiation
Szerző: Sun Xinxing, et al.
Megjelent: (2016) -
Formulation and investigation of in situ gelling lyotropic liquid crystalline systems
Szerző: Fehér András
Megjelent: (2006) -
Minimally invasive surgery of the uterine cavity : resectoscope in use without hormonal preoperative treatment /
Szerző: Kormányos Zsolt
Megjelent: (2007)