Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
Elmentve itt :
| Szerzők: | |
|---|---|
| Dokumentumtípus: | Cikk |
| Megjelent: |
2022
|
| Sorozat: | MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
152 |
| Tárgyszavak: | |
| doi: | 10.1016/j.mssp.2022.107062 |
| mtmt: | 33077841 |
| Online Access: | http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/26205 |
| Terjedelem/Fizikai jellemzők: | 11 |
|---|---|
| ISSN: | 1369-8001 |